光電変換素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-015376
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201007
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】電極の剥離を抑制することができるとともに変換効率を向上することができる光電変換素子を提供する。【解決手段】半導体基板の一主面に第1の金属と半導体基板の材料との共晶層を有し、半導体基板の一主面上に第1の金属を含む第1電極層、第1の金属を含むダスト層および第2の金属を含む第2電極層を有する光電変換素子であって、第2電極層の半導体基板側の表面の少なくとも一部が第1電極層および/または共晶層と接触している光電変換素子である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面に第1の金属と前記半導体基板の材料との共晶層を有し、前記半導体基板の前記一主面上に前記第1の金属を含む第1電極層、前記第1の金属を含むダスト層および第2の金属を含む第2電極層を有する光電変換素子であって、前記第2電極層の前記半導体基板側の表面の少なくとも一部が前記第1電極層および/または前記共晶層と接触していることを特徴とする、光電変換素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L31/04 H , H01L21/28 301R

Fターム (18件)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104GG05 , 4M104HH08 , 5F051AA02 , 5F051CB20 , 5F051CB27 , 5F051DA03 , 5F051FA10 , 5F051FA14 , 5F051FA15 , 5F051FA17 , 5F051FA24 , 5F051GA04 , 5F051HA03

引用特許：

出願人引用 (9件)

太陽電池素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-019497 出願人：京セラ株式会社
太陽電池およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-291498 出願人：シヤープ株式会社
特開昭59-032179

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