特許
J-GLOBAL ID:200903000071543876
金属-ポリイミド基板
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 佐野 英一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-369121
公開番号(公開出願番号):特開2006-175634
出願日: 2004年12月21日
公開日(公表日): 2006年07月06日
要約:
【課題】 微細配線パターン(8〜50μm)における熱処理後接着強度が高く、信頼性が高い、FPC、TAB、COF、ICあるいはLSI等微細配線パターンを必要とする幅広い電子部品に対応可能な金属-ポリイミド積層板を提供する。【解決手段】 ポリイミド層の少なくとも片面に、スパッタリング法又はスパッタリング法で形成された金属層の上に電解メッキ法で形成した金属層を有する積層板であり、金属層を幅8〜50μmに加工して、その引き剥がし強度を測定した場合に、ポリイミドと金属層間の初期接着強度が450N/m以上であり、且つ、大気中で150°C、168 hr熱処理した後のポリイミドと金属層間の熱処理後接着強度が初期接着強度の80%以上で、400N/m以上である金属-ポリイミド基板。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
ポリイミド層の少なくとも片面に、スパッタリング法又はスパッタリング法で形成された金属層の上に電解メッキ法で形成した金属層を有する積層板であり、金属層を幅8〜50μmに加工して、その引き剥がし強度を測定した場合に、ポリイミドと金属層間の初期接着強度が450N/m以上であり、且つ、大気中で150°C、168 hr熱処理した後のポリイミドと金属層間の熱処理後接着強度が初期接着強度の80%以上で、400N/m以上であることを特徴とする金属-ポリイミド基板。
IPC (4件):
B32B 15/088
, C23C 14/14
, C23C 14/20
, H05K 3/38
FI (4件):
B32B15/08 R
, C23C14/14 G
, C23C14/20 A
, H05K3/38 D
Fターム (37件):
4F100AB01B
, 4F100AB01C
, 4F100AB13B
, 4F100AB15B
, 4F100AB16B
, 4F100AB17C
, 4F100AB17D
, 4F100AB31B
, 4F100AK49A
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100BA10D
, 4F100EH66B
, 4F100EH71C
, 4F100EH71D
, 4F100EJ412
, 4F100GB43
, 4F100JK06
, 4F100YY00
, 4K029AA11
, 4K029AA25
, 4K029BA07
, 4K029BA08
, 4K029BA12
, 4K029BB02
, 4K029BD02
, 4K029CA05
, 4K029EA01
, 4K029FA05
, 4K029GA03
, 5E343AA18
, 5E343AA33
, 5E343BB14
, 5E343EE36
, 5E343GG02
引用特許: