特許
J-GLOBAL ID：200903000161019343
不揮発可変抵抗素子、記憶装置および不揮発可変抵抗素子のスケーリング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
河野 登夫
, 河野 英仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-325527
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158804
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】スケーリングを施して平面上の面積を縮小した場合に抵抗の増加を抑制できる構造の不揮発可変抵抗素子、該不揮発可変抵抗素子を用いた記憶装置、および不揮発可変抵抗素子のスケーリング方法を提供する。【解決手段】基板上に形成された第1電極1および第2電極3は、基板の面方向において対向する。第1電極1を内側電極とし、第1電極1の外周(周囲)に不揮発可変抵抗体2を形成し、不揮発可変抵抗体2の外周(周囲)に第2電極3を外側電極として形成するものとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
対向して基板上に形成された第1電極および第2電極と、第1電極および第2電極の間に形成された不揮発可変抵抗体とを備える不揮発可変抵抗素子において、
第1電極および第2電極は、前記基板の面方向において対向していることを特徴とする不揮発可変抵抗素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F083FZ10
, 5F083GA02
, 5F083GA09
, 5F083JA45
, 5F083MA06
, 5F083MA19
