特許
J-GLOBAL ID：200903000175591040

有機電界発光表示装置及びその製造方法

発明者：
崔 東 洙

崔 東 洙 について

, 
朴 鎭 宇

朴 鎭 宇 について


出願人/特許権者：
三星エスディアイ株式会社

三星エスディアイ株式会社 について


代理人 (6件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-011996
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200887
出願日： 2007年01月22日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】基板をガラスフリットで封止する際、接着力の低下を防止できる構造の有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る有機電界発光表示装置は、画素領域I及び非画素領域IIを備えた第1基板300と、前記第1基板を封止する第2基板420とを有し、前記画素領域には、半導体層320、ゲート電極340a、ソース電極360a及びドレイン電極360bを含む薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に位置する有機平坦化膜370と、前記有機平坦化膜上に位置する第1電極380と、前記第1電極上に位置する画素定義膜390と、前記第1電極及び前記画素定義膜上に位置し、少なくとも発光層を含む有機膜層400と、前記有機膜層上に位置する第2電極410と、が設けられ、前記非画素領域には、メタル配線360dと、前記メタル配線上に前記有機平坦化膜に接することなく位置し、前記第1基板と前記第2基板を封止するガラスフリットと、が設けられる。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
画素領域及び該画素領域以外の領域である非画素領域を備えた第1基板と、 前記第1基板を封止する第2基板とを有し、 前記画素領域には、 半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上に位置する有機平坦化膜と、 前記有機平坦化膜上に位置する第1電極と、 前記第1電極上に位置する画素定義膜と、 前記第1電極及び前記画素定義膜上に位置し、少なくとも発光層を含む有機膜層と、 前記有機膜層上に位置する第2電極と、が設けられ、 前記非画素領域には、 メタル配線と、 前記メタル配線上に前記有機平坦化膜に接することなく位置し、前記第1基板と前記第2基板間を封止するガラスフリットと、が設けられている、ことを特徴とする有機電界発光表示装置。
IPC (6件)：
H05B 33/04 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00 ,  H01L 27/32
FI (6件)：
H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 309 ,  G09F9/00 338 ,  G09F9/30 365Z
Fターム (26件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC24 ,  3K107CC25 ,  3K107DD39 ,  3K107EE03 ,  3K107EE55 ,  3K107GG07 ,  3K107GG12 ,  3K107GG14 ,  3K107GG37 ,  5C094AA37 ,  5C094AA38 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094DA07 ,  5C094FB02 ,  5C094GB10 ,  5G435AA13 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (11件)
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