特許
J-GLOBAL ID：200903000178599734

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
池田 圭司

池田 圭司 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-032652
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103897
出願日： 2006年02月09日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】相補型電界効果トランジスタの高速化を図る。【解決手段】nMOSFET10とpMOSFET20が共にGeチャネルを有しており、それらのソース・ドレイン領域がNiGe層15,25によって形成されている。nMOSFET10のソース・ドレイン接合が形成するショットキー障壁は、As,Sb,S等の原子をNiGe層15の形成時に偏析させた高濃度で極薄の偏析層16によって変調する。これにより、nMOSFET10、pMOSFET20それぞれに適したショットキー障壁高さを実現することが可能になり、高速のCMOSFET1が得られる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
相補型の電界効果トランジスタにおいて、 nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタが共に、SixGe1-x(0≦x<1)のチャネル領域と、Geを含む金属間化合物によって形成されたソース・ドレイン領域と、を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (7件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (11件)：
H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321C ,  H01L27/08 331E ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 301X
Fターム (94件)：
4M104AA02 ,  4M104AA09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD80 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF31 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB11 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC15 ,  5F048BD00 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F110AA01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF21 ,  5F110GG01 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK27 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK50 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN62 ,  5F140AA01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE06 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG53 ,  5F140BH13 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK29 ,  5F140BK33 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC08
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6621131号明細書
審査官引用 (6件)
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