半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-130834
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317583
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】 MISFETのゲート絶縁膜の欠陥密度を抑え、充分な電気特性を得ながら、かつ、ゲート絶縁膜の酸化シリコン換算膜厚(EOT)を1.0nm以下とする半導体装置を提供することである。【解決手段】シリコン基板1の主面に形成されたゲート絶縁膜2と、ゲート絶縁膜2上に形成されたゲート電極3とを有し、ゲート絶縁膜2が、酸化金属層と酸化シリコン層とから形成された金属シリケート層を含み、その金属シリケート層が、前記シリコン基板1側から前記ゲート電極3側に向けて金属およびシリコンの濃度勾配を持って形成されることを特徴とするMISFETQn、Qpを形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板の主面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有するMISFETを備えた半導体装置であって、前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン層と酸化金属層とから形成された金属シリケート層を含み、前記金属シリケート層を構成するシリコンおよび金属は、前記シリコン基板側から前記ゲート電極側に向けて濃度勾配を持っていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/8238 , H01L27/092

FI (3件)：

H01L29/78 301G , H01L21/316 X , H01L27/08 321D

Fターム (58件)：

5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE14 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG43 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (2件)

高誘電率シリケート・ゲート誘電体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-242453 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
原子層吸着堆積法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-191265 出願人：株式会社高純度化学研究所

審査官引用 (4件)

誘電体膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-095818 出願人：東京エレクトロン株式会社
絶縁膜の形成方法およびゲート絶縁膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-261042 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-358063 出願人：株式会社東芝

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