表面付着汚染物質の除去方法及び除去装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岩見谷周志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-191599
公開番号（公開出願番号）：特開2004-104090
出願日： 2003年07月04日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】半導体基板、液晶用ガラス基板などの電子デバイス用基板を初めとして種々の物品の表面付着汚染物質を室温での短時間処理で除去し、清浄化することができる、安全で効率のよい表面付着汚染物質除去方法を提供すること。【解決手段】汚染物質の付着した被処理体の表面に、気体中のオゾンとの分配係数が0.6以上である有機溶剤にオゾンを100ppm以上解させた処理液を接触させて、被処理体表面の付着汚染物質を除去することを特徴とする表面付着汚染物質の除去方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

汚染物質の付着した被処理体の表面に、気体中のオゾンとの分配係数が0.6以上である有機溶剤にオゾンを100ppm以上溶解させた処理液を接触させて、被処理体表面の付着汚染物質を除去することを特徴とする表面付着汚染物質の除去方法。

IPC (9件)：

H01L21/304 , C11D7/04 , C11D7/08 , C11D7/26 , C11D7/30 , C11D7/50 , C11D7/60 , G02F1/13 , G02F1/1333

FI (13件)：

H01L21/304 647A , H01L21/304 642B , H01L21/304 643A , H01L21/304 647Z , H01L21/304 648C , C11D7/04 , C11D7/08 , C11D7/26 , C11D7/30 , C11D7/50 , C11D7/60 , G02F1/13 101 , G02F1/1333 500

Fターム (22件)：

2H088FA17 , 2H088FA23 , 2H088FA24 , 2H088FA30 , 2H088HA01 , 2H088MA20 , 2H090JB02 , 2H090JB04 , 2H090JC19 , 2H090JD08 , 4H003BA12 , 4H003BA20 , 4H003DA05 , 4H003DA14 , 4H003DA15 , 4H003DA16 , 4H003DC04 , 4H003EA02 , 4H003EA31 , 4H003EB07 , 4H003ED02 , 4H003ED08

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-331555 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
被膜除去方法および被膜除去剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-088551 出願人：岩手東芝エレクトロニクス株式会社, クロリンエンジニアズ株式会社, 株式会社東芝
基板処理方法および基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-002474 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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