レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-067782
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250773
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】レジストの水による物性変化(膨潤性等)を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。【解決手段】水蒸気噴射ノズル3をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。

請求項（抜粋）：

リソグラフィー工程において用いられるレジスト膜除去装置であって、水蒸気をレジスト膜に接触せしめる手段と、水蒸気をレジスト膜に噴射する手段とを備え、前記水蒸気の作用により当該レジスト膜を剥離することを特徴とするレジスト膜除去装置。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , B01J 19/00 , B01J 19/08 , B01J 19/10 , G03F 7/42

FI (5件)：

B01J 19/00 D , B01J 19/08 F , B01J 19/10 , G03F 7/42 , H01L 21/30 572 B

Fターム (17件)：

2H096AA25 , 2H096LA02 , 2H096LA03 , 4G075AA30 , 4G075AA61 , 4G075AA63 , 4G075BA05 , 4G075BA06 , 4G075CA02 , 4G075CA03 , 4G075CA23 , 4G075CA33 , 4G075CA51 , 4G075EB01 , 4G075EC01 , 5F046MA05 , 5F046MA13

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-331555 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-295058 出願人：神鋼パンテツク株式会社, 三菱商事株式会社, 日本電池株式会社, エム・シー・エレクトロニクス株式会社
特開平4-338629

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