特許
J-GLOBAL ID：200903000384559803

膜形成材料、膜形成方法、及び素子

発明者：
町田 英明

町田 英明 について

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大下 祥雄

大下 祥雄 について

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小椋 厚志

小椋 厚志 について

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石川 真人

石川 真人 について


出願人/特許権者：
株式会社トリケミカル研究所

株式会社トリケミカル研究所 について


代理人 (1件)： 宇高 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-285720
公開番号（公開出願番号）：特開2006-097100
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 半導体素子に悪影響を引き起こす恐れが高いハロゲンを有さない原料を用いて、純度が高いモリブデン膜(モリブデンシリサイト膜またはモリブデンナイトライド膜)を低温で容易に形成できる技術を提供することである。【解決手段】 モリブデン膜もしくはモリブデンシリサイト膜またはモリブデンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、 前記膜のMo源がビスシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。
請求項（抜粋）：
モリブデン膜もしくはモリブデンシリサイト膜またはモリブデンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、 前記膜のMo源が下記の一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である ことを特徴とする膜形成材料。 一般式[I]
IPC (5件)：
C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285
FI (6件)：
C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/285 C
Fターム (23件)：
4H050AA01 ,  4H050AB84 ,  4H050AB91 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA12 ,  4K030BA38 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA06 ,  4K030FA07 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB16 ,  4M104BB26 ,  4M104BB31 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (6件)
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