貼り合わせ基板の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191778
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026337
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】未結合部の存在する領域をできるだけ小さくすることによって、デバイス作製可能面積を大きくし、貼り合わせ基板およびデバイスの作製歩留、生産性、コストの改善をはかるとともに、除去すべき未結合部の存在領域を小さくすることによって、複雑で時間がかかる未結合部の除去工程を、短縮・簡素化して貼り合わせ基板の生産性の向上、コストの低減をはかることができる貼り合わせ基板の作製方法を提供する。【解決手段】二枚の半導体基板を直接、または、酸化膜を介して他方の半導体基板と密着させ、これに熱処理を加えて強固に結合させた後、デバイス作製側基板を研削・研磨して、所望厚さまで薄膜化する貼り合わせ基板の作製方法において、前記二枚の半導体基板のうち、少なくとも一方の半導体基板の厚さは通常の半導体基板の厚さより薄いものを用いて密着させる、ことを特徴とする貼り合わせ基板の作製方法。

請求項（抜粋）：

二枚の半導体基板を直接密着させ、これに熱処理を加えて強固に結合させた後、デバイス作製側基板を研削・研磨して、所望厚さまで薄膜化する貼り合わせ基板の作製方法において、前記二枚の半導体基板のうち、少なくとも一方の半導体基板の厚さは通常の半導体基板の厚さより薄いものを用いて密着させる、ことを特徴とする貼り合わせ基板の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 , H01L 21/304 321

FI (2件)：

H01L 21/02 B , H01L 21/304 321 M

引用特許：

審査官引用 (9件)

ウエーハの結合方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-227210 出願人：信越半導体株式会社
特開平1-181438
特開平1-181438

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