特許
J-GLOBAL ID：200903000643337938

全反射減衰を利用した測定システム

発明者：
染 真人

染 真人 について

, 
小倉 信彦

小倉 信彦 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-296481
公開番号（公開出願番号）：特開2006-105918
出願日： 2004年10月08日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 全反射減衰を利用した測定システムにおいて、一連の測定が正常になされたか否かを確認可能とする。【解決手段】 光ビーム13を発生する光源14と、光ビーム13に対して透明な誘電体ブロック10、およびこの誘電体ブロック10の一面に形成されて試料11に接触させられる薄膜層12を備えてなる測定チップ9と、光ビーム13を、誘電体ブロック10と薄膜層12との界面10bで全反射するように入射させる光ビーム入射光学系15と、界面10bで全反射した光ビーム13中の暗線位置を測定する暗線位置測定手段29とを備えた測定システムにおいて、暗線位置の変化が必ず生じることが既知である複数の基準試料および/または必ず生じないことが既知である複数の基準試料と、測定対象の試料11とを含む複数の試料について一連の暗線位置測定がなされたとき、基準試料の暗線位置測定に関する特性値のバラツキを演算手段20で算出し、そのバラツキを表示手段21に表示させる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
光ビームを発生する光源と、 前記光ビームに対して透明な誘電体ブロック、およびこの誘電体ブロックの一面に形成されて試料に接触させられる薄膜層を備えてなる測定チップと、 前記光ビームを、前記誘電体ブロックと前記薄膜層との界面で該光ビームが全反射するように、この光ビームを前記誘電体ブロックに対して入射させる光ビーム入射光学系と、 前記界面で全反射した光ビーム中の暗線位置を測定する暗線位置測定手段とを備えた全反射減衰を利用した測定システムにおいて、 前記暗線位置の変化が必ず生じることが既知である複数の基準試料および/または必ず生じないことが既知である複数の基準試料と、測定対象の試料とを含む複数の試料について一連の暗線位置測定がなされたとき、前記複数の基準試料の暗線位置測定に関する特性値のバラツキを算出する演算手段と、 算出された前記特性値のバラツキを表示する表示手段とが設けられたことを特徴とする全反射減衰を利用した測定システム。
IPC (1件)：
G01N 21/27
FI (1件)：
G01N21/27 C
Fターム (15件)：
2G059BB04 ,  2G059CC16 ,  2G059CC17 ,  2G059DD12 ,  2G059DD20 ,  2G059EE02 ,  2G059FF08 ,  2G059GG01 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ20 ,  2G059KK04 ,  2G059MM01 ,  2G059MM14 ,  2G059PP04
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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