薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびに表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-135995
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311377
出願日： 2006年05月16日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】本発明は、量産に適し、低コストで製造可能な薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこれを用いた表示装置を提供する。【解決手段】基板11上に有機半導体層14、ゲート絶縁膜15、ゲート電極16をこの順に積層してなる薄膜トランジスタ10の製造方法において、印刷法により、ゲート絶縁膜15上にゲート電極材料をパターン塗布する工程と、熱処理を行うことで、パターン塗布されたゲート電極材料を乾燥固化してなるゲート電極16を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタならびにこの薄膜トランジスタを用いた表示装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に有機半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極をこの順に積層してなる薄膜トランジスタの製造方法において、印刷法により、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極材料をパターン塗布する工程と、熱処理を行うことで、パターン塗布された前記ゲート電極材料を乾燥固化してなる前記ゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/288 , G02F 1/136

FI (8件)：

H01L29/78 617J , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/28 100A , H01L29/58 G , H01L21/288 Z , G02F1/1368

Fターム (71件)：

2H092GA29 , 2H092JA25 , 2H092JA36 , 2H092JA46 , 2H092JB69 , 2H092KA09 , 2H092KA11 , 2H092KA13 , 2H092KA18 , 2H092KB11 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA37 , 2H092NA21 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F058AB06 , 5F058AB07 , 5F058AC05 , 5F058AC10 , 5F058AD06 , 5F058AD09 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG07 , 5F058AH01 , 5F110AA05 , 5F110AA09 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HL02 , 5F110HL22 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-090992 出願人：セイコーエプソン株式会社
有機半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-416782 出願人：旭化成株式会社
有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-553638 出願人：アベシア・リミテッド

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