特許
J-GLOBAL ID：200903001049049570
埋込みp型GaN層におけるアクセプタを活性化する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-168326
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068745
出願日： 2002年06月10日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 p型埋込み層の伝導性を増加させる技術を提供すること。【解決手段】 水素を埋込み型のIII族窒化物化合物半導体のp型層から外方拡散できるようにするために、ウェハはp型層のトレンチを形成してp型層を露出させるべくエッチングされる。エッチング後、ウェハはアニールされる。アニール時間及び温度はp型層の露出させた面の間隔及びp型層の厚さに依存する。水素はp型層を通ってトレンチにより露出させた面から容易に拡散する。これによりアニール前のトレンチが形成されていないものより著しく伝導性が高い埋込みp型層が得られる。別の実施形態では、アクセプタドーピングIII-V族p型層の表面は、上に位置するn型層によって覆われる。n型層の一部は、p型層の表面を露出させるためにエッチングされる。この後、p型層の露出させた面から水素を外方拡散させてp型層の伝導性を増加させるために、アニールが実行される。
請求項（抜粋）：
半導体構造を形成する方法であって、アクセプタを用いてドーピングされたIII-V族化合物半導体層を形成してアクセプタをドーピングした層(アクセプタドーピング層)を形成する工程であって、アクセプタの大部分が該アクセプタドーピング層における水素により活性化される工程と、前記アクセプタドーピング層にトレンチを形成する工程であって、該アクセプタドーピング層の面を露出させる工程と、前記トレンチにより露出させた前記アクセプタドーピング層の前記面を通して水素を外方拡散させるために該アクセプタドーピング層をアニールする工程であって、前記アクセプタを活性化させて該アクセプタドーピング層における正孔密度を増加させかつ該アクセプタドーピング層の抵抗率を低下させる工程と、を備えることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/324
, H01L 29/205
, H01L 33/00
H01L 21/324 C
, H01L 29/205
, H01L 33/00 C
5F041AA24
, 5F041CA08
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA75
