特許
J-GLOBAL ID：200903001064057415

発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法

発明者：
竹田 美和

竹田 美和 について

, 
藤原 康文

藤原 康文 について

, 
小泉 淳

小泉 淳 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (2件)： 平山 一幸 ,  海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-265488
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103931
出願日： 2002年09月11日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】希土類元素による発光強度が強く、かつ、発光波長が温度により変動しない、発光素子用希土類元素添加半導体積層構造及びそれを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード、半導体光増幅器並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】活性層2の両側に活性層2よりも禁制帯幅の大きいp型とn型のクラッド層3,4を積層したダブルヘテロ接合構造であって、活性層2に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造1である。発光素子用希土類元素添加半導体積層構造1を用いた発光ダイオード,半導体レーザダイオード,半導体光増幅器が得られる。発光強度が強く、発光波長は温度に依存しない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層の両側に、該活性層よりも禁制帯幅の大きいp型とn型のクラッド層が積層されたダブルヘテロ接合構造であって、 上記活性層に希土類元素または、希土類元素と酸素が添加されたことを特徴とする、発光素子用希土類元素添加半導体積層構造。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (2件)：
H01L33/00 A ,  H01S5/323
Fターム (15件)：
5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CB11 ,  5F073BA03 ,  5F073CA07 ,  5F073CB18 ,  5F073DA05 ,  5F073EA03
引用特許：
審査官引用 (15件)
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