特許
J-GLOBAL ID：200903001117408274
SOIウェーハ及び半導体デバイスならびにSOIウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-072174
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231376
出願日： 2008年03月19日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】製造工程自体が複雑ではなく、貼り合わせ界面での欠陥数が実用上問題にならないレベルであり、BOX層とベースウェーハの界面にキャリアをトラップする界面準位(Dit)が高いSOIウェーハとその製造方法を提供する。【解決手段】少なくともSOI層とシリコン酸化膜とベースウェーハを具備するSOIウェーハであって、該SOI層は、面方位が(100)であり、前記ベースウェーハは、抵抗率が100Ω・cm以上で、かつ(100)とは異なる面方位を有するものであることを特徴とするSOIウェーハ。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくともSOI層とシリコン酸化膜とベースウェーハを具備するSOIウェーハであって、
該SOI層は、面方位が(100)であり、
前記ベースウェーハは、抵抗率が100Ω・cm以上で、かつ(100)とは異なる面方位を有するものであることを特徴とするSOIウェーハ。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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