特許
J-GLOBAL ID：200903045103056445
SOIウエーハおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-108643
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305292
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】 イオン注入剥離法によって作製されるSOIウエーハにおいて、剥離時に生ずるSOI島の発生を抑制するとともに、SOIウエーハ表面に存在するLPD欠陥密度を低減したSOIウエーハとその製造方法を提供し、デバイス不良を低減する。【解決手段】 イオン注入剥離法によって作製されたSOIウエーハであって、SOIウエーハエッジ部に発生するベースウエーハ表面が露出したテラス部のSOI島領域幅が1mmより狭いことおよびLPD検査で検出されるSOI層表面に存在するサイズが0.19μm以上のピット状欠陥の密度が1counts/cm2 以下であるSOIウエーハならびにその製造方法。
請求項（抜粋）：
イオン注入剥離法によって作製されたSOIウエーハであって、SOIウエーハエッジ部に発生するベースウエーハ表面が露出したテラス部のSOI島領域幅が1mmより狭いことを特徴とするSOIウエーハ。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/20
, H01L 21/265
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/20
, H01L 21/265 Q
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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