特許
J-GLOBAL ID：200903001241453695

シングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレート製造

発明者：
チーニー, アレッサンドロ

チーニー, アレッサンドロ について

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ミシュラ, ウメシュ ケー.

ミシュラ, ウメシュ ケー. について

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パリーク, プリミット

パリーク, プリミット について

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ウー, イフェング

ウー, イフェング について


出願人/特許権者：
ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア

ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア について

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クリー, インコーポレイティッド

クリー, インコーポレイティッド について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-525544
公開番号（公開出願番号）：特表2007-505483
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
電界効果型トランジスタの表面に、誘電性材料の堆積/成長させ、誘電性材料をエッチングし、および、メタルを蒸着させる、連続的なステップを用いる、シングルゲートまたはマルチゲートプレートの製造プロセス。本製造プロセスのは、誘電性材料の堆積/成長が、典型的には、非常によく制御できるプロセスなので、フィールドプレート動作を厳しく制御できる。さらに、デバイス表面に堆積された誘電性材料は、デバイスの真性領域から除去される必要はない。このため、乾式または湿式のエッチングプロセスで受けるダメージの少ない材料を用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを、実現することができる。マルチゲートフィールドプレートを使うと、マルチ接続を使用するので、ゲート抵抗を減らすこともでき、こうして、大周辺デバイスおよび/またはサブミクロンゲートデバイスの性能を向上することができる。
請求項（抜粋）：
1以上のゲートフィールドプレートの製造方法であって、該方法は、 デバイスの表面に1つ以上のフィールドプレートを形成するために、誘電性材料を堆積または成長させること、誘電性材料をエッチングすること、および、メタル蒸着することからなる連続的ステップを実行することを包含し、 該表面に堆積される該誘電性材料は、活性領域から除去される必要がなく、それによって、低ダメージの乾式または湿式エッチングプロセスを用いずに、フィールドプレートされたデバイスの実現を可能とする、方法。
IPC (4件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/06
FI (3件)：
H01L29/80 P ,  H01L29/80 H ,  H01L29/06 301F
Fターム (15件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR11 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19
引用特許：
審査官引用 (7件)
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