半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181365
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036226
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】配線の容量を小さくする為に低誘電率の層間絶縁膜を用いると半導体装置の放熱特性が劣化する。【解決手段】同一層のAl配線間には熱伝導率及び誘電率の小さいポリイミド膜5を設け、下層のAl配線と上層のAl配線間には熱伝導率及び誘電率の大きいシリコン酸化膜3A〜3Cを設ける。

請求項（抜粋）：

多層配線構造を有する半導体装置において、同一層の前記配線は熱伝導率および誘電率の小さい第1の絶縁膜に設けられた溝中に形成され、下層配線と上層配線間の層間絶縁膜は熱伝導率および誘電率の大きい第2の絶縁膜から構成されていることを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 21/90 S , H01L 21/90 V , H01L 21/90 K

引用特許：

審査官引用 (10件)

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