特許
J-GLOBAL ID：200903065382124111

横方向成長による窒化ガリウム層の製造

発明者：
リンシカム,ケヴィン・ジェイ

リンシカム,ケヴィン・ジェイ について

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ゲールケ,トーマス

ゲールケ,トーマス について

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トムソム,ダレン・ビー

トムソム,ダレン・ビー について

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カールソン,エリック・ピー

カールソン,エリック・ピー について

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ラジャゴーパル,プラディープ

ラジャゴーパル,プラディープ について

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デイヴィス,ロバート・エフ

デイヴィス,ロバート・エフ について


出願人/特許権者：
ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ

ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ について


代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-585920
公開番号（公開出願番号）：特表2002-531945
出願日： 1999年11月23日
公開日（公表日）： 2002年09月24日
要約：
【要約】炭化ケイ素の基板(102)上の規定の窒化ガリウム層(104)は、中に開口部のアレイを含むマスク(109)を用いてパターン化され、またこれらの開口部のアレイを通ってエッチングされて、基底の窒化ガリウム層内のポスト(106)及びポストの間のトレンチ(107)を規定する。ポストの側壁はトレンチ内に横方向に成長して、これにより、窒化ガリウムの半導体層(108a)を形成する。この横方向の成長の間に、マスクが核形成及びポストの頂部から縦方向に成長することを防止する。これにより、成長は、ポストの側壁から吊されたトレンチ内に、横方向に進行する。ポストの側壁は、横方向に成長した側壁がトレンチ内で融合して、これにより窒化ガリウムの半導体層を形成するまで、トレンチ内に横方向に成長することができる。ポストの側壁からの横方向の成長は、窒化ガリウム層がマスク内の開口部を通って縦方向に成長し、またポストの頂部上のマスクの上に横方向に過度成長して、これにより、窒化ガリウムの半導体層(108b)を形成するように継続することができる。この横方向の過度成長は、成長した側壁がマスク上で融合して、これにより、連続した窒化ガリウムの半導体層を形成するまで続くことができる。マイクロ電子ディバイス(110)を、この連続した窒化ガリウムの半導体層内に形成することができる。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウムの半導体層を製造する方法であって、 炭化ケイ素の基板上に、中に開口部のアレイを含むマスクを有する基底の窒化ガリウム層をマスキングするステップと、 前記基底の窒化ガリウム層内の、それぞれが側壁と上に前記マスクを有する頂部とを含む複数のポスト、及びそれらのポスト間の複数のトレンチを規定するために、前記基底の窒化ガリウム層を前記開口部のアレイを通してエッチングするステップと、 前記ポストの前記側壁を前記トレンチ内に横方向に成長させて、これにより、窒化ガリウムの半導体層を形成するステップと、を備えることを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (5件)：
H01L 21/20 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (31件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077EE07 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DB01 ,  5F052KB01 ,  5F073CA02 ,  5F073CB04 ,  5F073DA07 ,  5F073DA21 ,  5F073EA20
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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