太陽電池の製造法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128152
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324907
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 CVD法やプラズマCVD法とは異なり、簡単な操作や装置で、基体上にシリコン膜を、効率的に例えば高い歩留りや大きい形成速度で形成することのできるシリコン膜の形成方法を含む太陽電池の製造法を提供すること。【解決手段】一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる隣接する少なくとも2層の半導体膜を有する太陽電池の製造法であって、少なくとも1層の半導体膜を、シクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物を不活性有機媒体蒸気の存在下に熱分解せしめて形成せしめる太陽電池の製造法。

請求項（抜粋）：

一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる隣接する少なくとも2層の半導体膜を有する太陽電池の製造法であって、少なくとも1層の半導体膜を、シクロペンタシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシリコン化合物を不活性有機媒体蒸気の存在下に熱分解せしめて形成せしめることを特徴とする太陽電池の製造法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 31/04 B , H01L 31/04 A

Fターム (27件)：

5F045AA03 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AE01 , 5F045AE29 , 5F045AE30 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045BB08 , 5F045BB20 , 5F045CA13 , 5F051AA02 , 5F051AA05 , 5F051CA07 , 5F051CA14 , 5F051CA36 , 5F051CA40 , 5F051DA04 , 5F051DA20 , 5F051FA04 , 5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭60-026664
半導体薄膜形成方法および太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-247869 出願人：株式会社東芝
シリコン膜形成装置及びシリコン膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-028850 出願人：シャープ株式会社

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