特許
J-GLOBAL ID：200903001628208397

スピン注入磁区移動素子およびこれを用いた装置

発明者：
斉藤 明

斉藤 明 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-122223
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303159
出願日： 2005年04月20日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】 磁壁移動を電気抵抗で検出可能な素子を提供すると共に、高速かつ低電流での磁壁移動と記録された磁壁の熱安定性を両立可能とする。【解決手段】 磁壁を有する磁壁移動層、それぞれ強磁性層を有する第1磁性層グループ、第2磁性層グループおよび第3磁性層グループを備え、各磁性層グループが磁壁移動層の同一面上にこの順に配置され、第1磁性層グループと第3磁性層グループとの間に電子を流すことにより磁壁移動層の磁壁を移動し、第2磁性層グループと第3磁性層グループとの間、または第2磁性層グループと第1磁性層グループとの間の電気抵抗により前記磁壁移動層の磁壁の位置を検出することを特徴とする。 磁壁移動層と第1磁性層グループとの間の反強磁性結合を有し、磁壁移動層と第3磁性層グループとの間の反強磁性結合もしくは強磁性結合を有することが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁壁を有する磁壁移動層、強磁性層を有する第1磁性層グループ、強磁性層を有する第2磁性層グループおよび強磁性層を有する第3磁性層グループを備え、 該第1磁性層グループ、該第2磁性層グループおよび該第3磁性層グループが該磁壁移動層の同一面上に、この順に配置され、 該第1磁性層グループと該第3磁性層グループとの間に電子を流すことにより、前記磁壁移動層の磁壁を移動し、 該第2磁性層グループと該第3磁性層グループとの間、または該第2磁性層グループと該第1磁性層グループとの間の電気抵抗により前記磁壁移動層の磁壁の位置を検出することを特徴とするスピン注入磁区移動素子。
IPC (4件)：
H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (3件)：
H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (5件)：
5F083FZ10 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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