特許
J-GLOBAL ID：200903021364964458

絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置

発明者：
小宮 隆行

小宮 隆行 について

, 
永嶋 慎二

永嶋 慎二 について

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小島 茂義

小島 茂義 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269397
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093899
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 低誘電率特性が良好で第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との密着性がよく、しかも第1の絶縁膜と第2の絶縁膜の形成を同一の装置内で行うことができ、更に第2の絶縁膜の材料の選択範囲を広げることができる絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成装置の提供。【解決手段】 第1の絶縁膜402及び第2の絶縁膜403について共にスピンコート法によって形成しているので、第1の絶縁膜402と第2の絶縁膜403の形成を同一の該SOD処理システム1内で行うことができる。また、このように第1の絶縁膜402及び第2の絶縁膜403について共にスピンコート法によって形成した場合、低誘電率特性が良好で第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との密着性がよくなる。
請求項（抜粋）：
(a)基板上に無機系の第1の絶縁膜材料を塗布する工程と、(b)前記塗布された第1の絶縁膜材料上に有機系の第2の絶縁膜材料を塗布する工程とを備え、前記工程(a)と前記工程(b)との間及び前記工程(b)の後に、それぞれ、異なる温度の複数段の熱処理工程を具備することを特徴とする絶縁膜形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M
Fターム (10件)：
5F058AA08 ,  5F058BA10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BG01 ,  5F058BG04 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (9件)
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