特許
J-GLOBAL ID：200903002069919977

化合物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
楠木 克輝

楠木 克輝 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-077638
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303286
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 表面積の大きな側面を備えた化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 基板となるウェハー上に、n型またはp型の化合物半導体からなる発光層を含む化合物半導体層を積層し、該発光層に駆動電流を流通させるための負極および正極を所定の位置に配置し、個々の発光素子に分離するための分離帯域を形成し、該分離帯域に沿って直線状に多数の小孔を設け、その後、該分離帯域に沿って個々の発光素子に分割することを特徴とする化合物半導体発光素子の製造方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に発光層を備えた化合物半導体発光素子に於いて、素子側面の少なくとも基板部の一部が辺方向に凹部を有することを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  B23K26/00 H ,  B23K26/38 330
Fターム (11件)：
4E068AF00 ,  4E068DA09 ,  5F041AA03 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA93 ,  5F041DA09 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (13件)
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