特許
J-GLOBAL ID：200903002076647842

半導体素子の製造方法及びその装置

発明者：
下西 弘二

下西 弘二 について

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湯浅 基和

湯浅 基和 について

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本間 孝治

本間 孝治 について


出願人/特許権者：
積水化学工業株式会社

積水化学工業株式会社 について

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株式会社ケミトロニクス

株式会社ケミトロニクス について


代理人 (1件)： 河備 健二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346857
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151513
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の製造工程における窒化膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なプラズマを継続して発生させ、基材を該プラズマで処理して、基材上に良質の窒化膜を製造する方法及びその装置の提供。【解決手段】 プラズマCVD法による半導体素子における窒化膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に珪素含有ガス及び窒素含有ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンからなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気に保たれていることを特徴とする半導体素子の製造方法及び装置。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法による半導体素子における窒化膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンからなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気に保たれていることを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/515 ,  H01L 21/31
FI (5件)：
H01L 21/318 B ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/515 ,  H01L 21/31 C
Fターム (58件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030BA40 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA14 ,  4K030JA14 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC18 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045DP22 ,  5F045EB10 ,  5F045EE14 ,  5F045EF02 ,  5F045EF10 ,  5F045EF20 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F058BB02 ,  5F058BB06 ,  5F058BB07 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF30 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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