特許
J-GLOBAL ID:200903002115972209

不揮発性半導体装置および不揮発性半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-118505
公開番号(公開出願番号):特開2006-302950
出願日: 2005年04月15日
公開日(公表日): 2006年11月02日
要約:
【課題】 不揮発性半導体装置の機能を確保することができ、フローティングゲートのしきい値電圧の変動が抑制された不揮発性半導体装置を提供する。【解決手段】 主表面を有する半導体基板11と、半導体基板11の主表面上に間隔をあけて形成された第1と第2フローティングゲート15a、15bと、第1と第2フローティングゲート15a、15b上の第1と第2コントロールゲート12a、12bと、第1コントロールゲート12a上に形成された第1絶縁膜32aと、第2コントロールゲート12b上に形成され、第1絶縁膜32aに接触するように形成された第2絶縁膜32bと、第1絶縁膜32aと、第2絶縁膜32bとを接触させることで、少なくとも第1フローティングゲート15aと第2フローティングゲート15b間に形成された空隙部26aとを備える。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
主表面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の主表面上に間隔をあけて形成された第1と第2フローティングゲートと、 前記第1と第2フローティングゲート上の第1と第2コントロールゲートと、 前記第1コントロールゲート上に形成された第1絶縁膜と、 前記第2コントロールゲート上に形成され、前記第1絶縁膜に接触するように形成された第2絶縁膜と、 前記第1絶縁膜と、前記第2絶縁膜とを接触させることで、少なくとも前記第1フローティングゲートと前記第2フローティングゲート間に形成された空隙部と、 を備えた不揮発性半導体装置。
IPC (4件):
H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 27/115
FI (2件):
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434
Fターム (20件):
5F083EP02 ,  5F083EP27 ,  5F083EP55 ,  5F083EP76 ,  5F083EP79 ,  5F083JA05 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083NA05 ,  5F083NA08 ,  5F083PR21 ,  5F101BA02 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BH02
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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