特許
J-GLOBAL ID：200903002264735945
圧電素子とその製造方法、及びインクジェット式記録ヘッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
柳田 征史
, 佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-106256
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281238
出願日： 2006年04月07日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】圧電素子の製造方法において、高価な基板を用いることなく、比較的低温で、結晶配向性に優れ、圧電性能に優れた圧電膜を成膜する。【解決手段】基板10上にシード層20と下部電極30とを順次成膜する工程(A)と、シード層20に含まれる元素を拡散させて、該元素を下部電極30の表面に析出させる工程(B)と、下部電極30上に圧電膜40を成膜する工程(C)とを順次実施する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に下部電極と圧電膜と上部電極とが順次積層されてなり、前記下部電極と前記上部電極とにより前記圧電膜に対して電界が印加される圧電素子の製造方法において、
前記基板上にシード層と前記下部電極とを順次成膜する工程(A)と、
前記シード層に含まれる元素を拡散させて、該元素を前記下部電極の表面に析出させる工程(B)と、
前記下部電極上に前記圧電膜を成膜する工程(C)とを順次有することを特徴とする圧電素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 41/22
, B41J 2/045
, B41J 2/055
, H01L 41/09
, H01L 41/187
H01L41/22 Z
, B41J3/04 103A
, H01L41/08 J
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101C
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101J
2C057AF93
, 2C057AG12
, 2C057AG44
, 2C057AN05
, 2C057AP02
, 2C057AP14
, 2C057AP31
, 2C057AP32
, 2C057AP52
, 2C057AP53
, 2C057AQ01
, 2C057AQ02
, 2C057AQ06
, 2C057BA04
, 2C057BA14
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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