端面入射導波路型半導体受光素子およびそれを用いた光受信モジュール

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-038039
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223369
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】導波路型光デバイスとの整合性に優れた端面入射型構造を有し、高い水平方向位置ずれトレランス幅、高い受光感度を得ると同時に、静電容量の低減が可能な、導波路型受光素子を提供する。【解決手段】半導体基板11の一方の面上に、光を吸収する光吸収層13とその光吸収層をはさみその光吸収層より屈折率が低い半導体層から構成されているコア層とを備えた台形状に突起した半導体メサ部12を有し、半導体メサ部側面の一部を受光端面とする端面入射導波路型受光素子であって、半導体メサ部12の幅が、上記受光端面から入射光の進行方向に沿って減少していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の面上に、光を吸収する光吸収層と該光吸収層をはさみ該光吸収層より屈折率が低い半導体層から構成されているコア層とを備えた台形状に突起した半導体メサ部を有し、上記半導体メサ部側面の一部を受光端面とする端面入射導波路型受光素子であって、上記半導体メサ部の幅が、上記受光端面から入射光の進行方向に沿って減少していることを特徴とする端面入射導波路型半導体受光素子。

IPC (3件)：

H01L 31/0232 , G02B 6/42 , H01S 5/026

FI (4件)：

G02B 6/42 , H01S 5/026 , H01L 31/02 D , H01L 31/02 C

Fターム (28件)：

2H037AA01 , 2H037BA11 , 2H037CA39 , 2H037DA03 , 2H037DA04 , 2H037DA12 , 5F073AB18 , 5F073AB28 , 5F073BA01 , 5F073FA07 , 5F073FA16 , 5F088AA03 , 5F088AB07 , 5F088BA01 , 5F088BA02 , 5F088BA16 , 5F088BB01 , 5F088DA17 , 5F088EA07 , 5F088EA09 , 5F088FA09 , 5F088GA03 , 5F088GA07 , 5F088GA10 , 5F088JA20 , 5F088KA02 , 5F088KA08 , 5F088KA10

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭63-278280
半導体受光素子および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-170710 出願人：株式会社日立製作所
アバランシェフォトダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-189474 出願人：日本電気株式会社

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