特許
J-GLOBAL ID：200903002370853442

半導体装置の作製方法

発明者：
楠本 直人

楠本 直人 について

, 
高山 徹

高山 徹 について

, 
米澤 雅人

米澤 雅人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-222717
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012232
出願日： 2004年07月30日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】 耐圧性の高い絶縁膜を形成することを課題とする。【解決手段】 酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜を形成する工程と、前記酸化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上に窒化珪素膜を形成する工程と、を大気に曝すことなく連続的に行うことを特徴とする。次に結晶性半導体膜の表面を窒化して第1の窒化珪素膜を形成する工程と、前記第1の窒化珪素膜上に第2の窒化珪素膜を形成する工程と、を大気に曝すことなく連続的に行うことを特徴とする。これらの工程はマルチチャンバーを用いて行ってもよい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
酸化珪素膜を形成する工程と、 前記酸化珪素膜上に窒化珪素膜を形成する工程と、を大気に曝すことなく連続的に行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/318 ,  H01L29/786
FI (7件)：
H01L29/78 627B ,  H01L21/02 Z ,  H01L21/20 ,  H01L21/318 M ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617L
Fターム (60件)：
5F052AA02 ,  5F052AA12 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052JA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF64 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA16 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF26 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ24
引用特許：
審査官引用 (9件)
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