窒化物半導体レーザ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-057761
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311309
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】窒化物半導体レーザ素子の容量を大幅に低減し、高速応答性の要求に対応する。【解決手段】基板101の主面上にそれぞれ窒化物からなるn型半導体層、活性層205およびp型半導体層が積層され、p型半導体層にストライプ状のリッジ部2が形成された窒化物半導体レーザ素子において、リッジ部から離間した周辺領域の半導体層のpn接合がイオン注入により破壊されて素子容量低減用の絶縁性領域1とされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

それぞれ窒化物からなる積層された第1導電型の半導体層、活性層および第2導電型の半導体層と、前記第2導電型の半導体層に設けられたストライプ状のレーザ光の導波路領域と、前記導波路領域から離間した周辺領域の半導体層のpn接合が破壊された素子容量低減用の絶縁性領域とを具備することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S5/22

FI (1件)：

H01S5/22

Fターム (7件)：

5F173AA26 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP54 , 5F173AP82 , 5F173AR36

引用特許：

出願人引用 (2件)

窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-023297 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-212258 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (12件)

窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-023297 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-025735 出願人：古河電気工業株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-196589 出願人：ソニー株式会社

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