線幅管理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-241008
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079911
出願日： 2002年08月21日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】線幅管理方法に関し、プロセス余裕度の算出精度を高めて線幅管理の精度を向上させることを目的とする。【解決手段】線幅管理の対象となるパターンの線幅のパターン形成条件依存性を測定し、線幅測定値が許容範囲に収まるようなパターン形成条件を用いてプロセス余裕度を算出し、算出されたプロセス余裕度に基づいてパターン形成条件を調整する線幅管理方法において、線幅管理の対象となるパターンの形状状態を表わす形状パラメータのパターン形成条件依存性を測定し、該線幅測定値とともに該形状パラメータ測定値が許容範囲に収まるようなパターン形成条件を用いてプロセス余裕度を算出するように構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

線幅管理の対象となるパターンの線幅のパターン形成条件依存性を測定し、線幅測定値が許容範囲に収まるようなパターン形成条件を用いてプロセス余裕度を算出し、算出されたプロセス余裕度に基づいてパターン形成条件を調整する線幅管理方法において、線幅管理の対象となるパターンの形状状態を表わす形状パラメータのパターン形成条件依存性を測定し、該線幅測定値とともに該形状パラメータ測定値が許容範囲に収まるようなパターン形成条件を用いてプロセス余裕度を算出することを特徴とする線幅管理方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 , G03F7/20

FI (2件)：

H01L21/30 514Z , G03F7/20 521

Fターム (5件)：

5F046AA18 , 5F046AA28 , 5F046BA04 , 5F046DA02 , 5F046DA14

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の回路設計方法およびプログラム記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-067021 出願人：株式会社東芝
パターン寸法測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-050772 出願人：株式会社東芝
露光条件選択方法、及び該方法で使用される検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-193982 出願人：株式会社ニコン

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