特許
J-GLOBAL ID：200903002631156140

化学機械研磨パッドを洗浄するための方法およびシステム

発明者：
スビアチェブスキ・ジュリア・エス.

スビアチェブスキ・ジュリア・エス. について

, 
ミカイリッチ・カトリーナ,エー.

ミカイリッチ・カトリーナ,エー. について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人 明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-621118
公開番号（公開出願番号）：特表2003-500864
出願日： 2000年05月02日
公開日（公表日）： 2003年01月07日
要約：
【要約】【課題】【解決手段】 CMPパッドを洗浄するための方法およびシステムが提供されている。この方法は、CMPパッドの表面に化学薬品を塗布する工程に始まる。次いで、化学薬品は、パッド上の残留物と反応して副生成物を生成する。次に、パッド表面にすすぎ洗いが行われて十分に副生成物が除去される。次いで、パッドの表面に機械的なコンディショニング工程が施される。一例では、ウエハ表面は、銅のような金属である。ウエハ表面が銅である場合、化学物質はHClが最も好ましく溶液はHClと脱イオン水を含む。ウエハ表面が酸化物である場合、化学物質はNH4OHが最も好ましく溶液はNH4OHと脱イオン水を含む。一般に、CMPパッドは、線形ベルトや円形ディスクの形状、もしくはその他任意の機械的または力学的な構成でよい。
請求項（抜粋）：
ウエハ表面の化学機械研磨(CMP)工程に使用済みであって、前記CMPパッドの表面に残留物を有するCMPパッドを洗浄する方法であって、 前記CMPパッドの前記表面に化学薬品を塗布する工程と、 前記化学薬品を前記残留物と反応させて副生成物を生成する工程と、 前記パッド表面にすすぎ洗いを行って前記副生成物を十分に除去する工程と、 前記パッドの前記表面に機械的なコンディショニング工程を施す工程と、を含む、洗浄方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  B24B 53/007 ,  B24B 53/02
FI (4件)：
H01L 21/304 622 M ,  B24B 37/00 A ,  B24B 53/007 ,  B24B 53/02
Fターム (9件)：
3C047AA34 ,  3C047FF08 ,  3C047FF19 ,  3C058AA07 ,  3C058AA19 ,  3C058AC05 ,  3C058CA01 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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