特許
J-GLOBAL ID：200903002664020759

パターン形成方法、近接場光発生素子および露光装置

発明者：
上田 稔

上田 稔 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-073193
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260178
出願日： 2004年03月15日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：
【課題】 近接場光を利用するパターン形成方法において、露光量がパターン幅の大きさに関係なく均一化され、一回の露光で2種以上の異なるパターン幅を有するパターンを形成することができ、微細なパターンを精度良くかつ効率良く形成できる方法を提供する。【解決手段】 基板2に形成されたレジスト層1表面に、所望のパターンで金属粒子3を配置し、レジスト層1の吸収波長よりも長い波長を有する処理光4を照射することによって、処理光4によるレジスト層1の感光を防止しながら、金属粒子3の近傍領域5に発生する近接場光によってレジスト層1を感光し、レジスト層1に所望のパターンを形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光の照射により近接場光を発生させてパターンを形成する方法において、 基板にレジスト層を形成する工程と、 レジスト層の近傍に処理光の波長以下の直径を有する金属粒子を配置する工程と、 処理光を、少なくとも金属粒子に照射して金属粒子の周囲に近接場光を発生させ、金属粒子近傍のレジスト層を露光する工程と、 近接場光により露光されたレジスト層を現像液により現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38
FI (4件)：
H01L21/30 502D ,  G03F7/20 501 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 564Z
Fターム (16件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096DA10 ,  2H096EA18 ,  2H096EA30 ,  2H096LA30 ,  2H097CA11 ,  2H097EA01 ,  2H097LA10 ,  5F046AA17 ,  5F046AA28 ,  5F046BA10 ,  5F046CA10 ,  5F046JA22 ,  5F046JA27
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM