特許
J-GLOBAL ID：200903002769119297
多波長半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-178480
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351966
出願日： 2005年06月17日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】所定の波長帯で高反射率を実現することの可能な多波長半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】基板10上に、波長660nmのレーザ光を発振する第1素子部20Aと、波長780nmのレーザ光を発振する第2素子部20Bとを有する。第1素子部20Aおよび第2素子部20Bのそれぞれの前端面には前端面膜30が、後端面には後端面膜31がそれぞれ一括形成されている。後端面膜31は、後端面上に屈折率がn1の第1後端面膜32Aおよび屈折率がn2(>n1)の第2後端面膜32Bを1組とする層を1または複数積層して構成された第1反射膜32と、第1反射膜32上に屈折率がn3(≦n1)の第3後端面膜33Aおよび屈折率がn4(>n1)の第4後端面膜33Bを1組とする層を1または複数積層して構成された第2反射膜33とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された第1波長のレーザ光を発振する第1素子部と、前記基板上に形成された第2波長のレーザ光を発振する第2素子部と、前記第1素子部および前記第2素子部のそれぞれの前端面に一括形成された前端面膜と、前記第1素子部および前記第2素子部のそれぞれの後端面に一括形成された後端面膜とを備え、
前記後端面膜は、前記後端面上に屈折率がn1の第1後端面膜および屈折率がn2(>n1)の第2後端面膜を1組とする層を1または複数積層して構成された第1反射膜と、前記第1反射膜上に屈折率がn3(≦n1)の第3後端面膜および屈折率がn4(>n1)の第4後端面膜を1組とする層を1または複数積層して構成された第2反射膜とを有する
ことを特徴とする多波長半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F173AA08
, 5F173AD06
, 5F173AH02
, 5F173AH06
, 5F173AL04
, 5F173AL05
, 5F173AL13
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP82
, 5F173AR12
出願人引用 (1件)
-
消耗品の管理システム
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-257413
出願人：シャープ株式会社
審査官引用 (10件)
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