半導体レ-ザ

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-202500
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036633
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】信頼性が高く、低しきい値、低動作電流など性能が向上した、多層高反射膜付きの半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、多層高反射膜を有する半導体レーザにおいて、その多層高反射膜は、前記半導体レーザの基板が有する線膨張率の±30%以内の線膨張率、n1<1.8なる屈折率n1を有する端面に接して形成された第一の低屈折率膜と、n2>1.9なる屈折率n2、k<0.05なる屈折率の負の虚数部-ikを有し、窒化シリコンからなる第一の高屈折率膜と、n3<1.7であり、n1>n3なる屈折率n3を有する、前記第一の低屈折率膜とは材質が異なる第二の低屈折率膜とを具備し、第一の低屈折率膜上に、第一の高屈折率膜と第二の低屈折率膜とが交互に複数積層され、総層数が9層以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

【請求項l】少なくとも片側端面に反射率30%以上の多層高反射膜を有する半導体レーザにおいて、前記多層高反射膜が、前記半導体レーザの結晶基板が有する線膨張率の±30%以内の線膨張率、n1<1.8なる屈折率n1を有する、前記端面に接して形成された第一の低屈折率膜と、n2>1.9なる屈折率n2、k<0.05なる屈折率の負の虚数部-ikを有し、窒素シリコンからなる第一の高屈折率膜と、n3<1.7であり、n1>n3なる屈折率n3を有する、前記第一の低屈折率膜とは材質が異なる第二の低屈折率膜とを具備し、前記第一の低屈折率膜上に、前記第一の高屈折率膜と前記第二の低屈折率膜とが交互に複数積層され、前記第一、第二の低屈折率膜及び前記第一の高屈折率膜の総層数が9層以下であることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (7件)

改善された半導体レーザおよびそれを製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-165519 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体レーザー
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-190669 出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-144489 出願人：日本電気株式会社

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