特許
J-GLOBAL ID：200903002852637461

ポジ型フォトレジスト組成物

発明者：
中尾 元

中尾 元 について

, 
佐藤 健一郎

佐藤 健一郎 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-175519
公開番号（公開出願番号）：特開2001-356478
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、現像欠陥の発生が軽減され、固形分を溶剤に溶かす時や経時保存時のパーティクルの発生を防止でき、経時保存による感度の変動を防止できるポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】特定の繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、下記溶剤A群から選択される少なくとも1種と、下記溶剤B群から選択される少なくとも1種及び/又は下記溶剤C群から選択される少なくとも1種とを含有する混合溶剤A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートB群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、鎖状ケトン及びアルコキシアルキルプロピオネートC群:γ-ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(I)で示される繰り返し構造単位および下記一般式(II)で示される繰り返し構造単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(C)下記溶剤A群から選択される少なくとも1種と下記溶剤B群から選択される少なくとも1種、もしくは溶剤A群から選択される少なくとも1種と下記溶剤C群から選択される少なくとも1種とを含有する混合溶剤A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートB群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、鎖状ケトン及びアルコキシアルキルプロピオネートC群:γ-ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】【化2】一般式(I)中、R11〜R14は、各々独立に水素原子又は置換基を有しても良いアルキル基を表す。aは0または1である。一般式(II)中、R1は、水素原子又はメチル基を表す。Aは、単結合、アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表す。Wは、-C(Ra)(Rb)(Rc)で表される基あるいは-CH(Rd)-O-Reで表される基を表す。ここで、Ra、Rb、Rcは、各々、置換基としてハロゲン原子、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基あるいはアシロキシ基を有していてもよい、炭素数1個〜20個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基又は炭素数3〜20個のシクロアルキル基を表す。ただし、RaとRbは、互いに結合して脂環式単環を形成してもよい。Rdとしては、水素原子又はアルキル基を表す。Reとしては、置換基としてハロゲン原子、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基あるいはアシロキシ基を有していてもよい、炭素数1個〜20個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基又は炭素数3〜20個のシクロアルキル基を表す。
IPC (12件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F220/10 ,  C08F222/00 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/16 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  C08L 83/04 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027
FI (12件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F220/10 ,  C08F222/00 ,  C08F232/00 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/16 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 45/00 ,  C08L 83/04 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (67件)：
2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BF11 ,  2H025BG00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB43 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J002BD124 ,  4J002BG04X ,  4J002BG05X ,  4J002BG07X ,  4J002BH02Y ,  4J002BK00W ,  4J002CN01X ,  4J002CP034 ,  4J002EB106 ,  4J002EN136 ,  4J002ER027 ,  4J002EU027 ,  4J002EU047 ,  4J002EU077 ,  4J002EU137 ,  4J002EU237 ,  4J002EV296 ,  4J002EW176 ,  4J002EZ006 ,  4J002FD146 ,  4J002FD207 ,  4J002FD314 ,  4J100AK32R ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AL14Q ,  4J100AL16Q ,  4J100AM43R ,  4J100AP01Q ,  4J100AR09P ,  4J100AR11P ,  4J100BA03P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BA58R ,  4J100BB07R ,  4J100BB18R ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC07R ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA61
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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