特許
J-GLOBAL ID：200903002889814509
薄膜太陽電池およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥井 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-237159
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047917
出願日： 2002年07月12日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【目的】基板上に裏面電極を形成し、その裏面電極上にプリカーサ膜を形成して、SeまたはS雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極を形成するようにした薄膜太陽電池を製造するに際して、エネルギー変換効率を向上させるべく、熱処理時に効率良く効果的に光吸収層にIa族元素を拡散させることができるようにする。【構成】Ia族元素を含む基板を用いて、熱処理時にその基板のIa族元素が光吸収層に拡散するようにしたうえで、その拡散量を裏面電極によって制御するようにした薄膜太陽電池およびその製造方法。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
基板上に裏面電極を形成し、その裏面電極上にプリカーサ膜を形成して、SeまたはS雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極を形成するようにした薄膜太陽電池の製造方法にあって、Ia族元素を含む基板を用いて、前記熱処理時にその基板のIa族元素が光吸収層に拡散するようにしたうえで、その拡散量を裏面電極によって制御するようにしたことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F051AA10
, 5F051BA18
, 5F051CB14
, 5F051CB15
, 5F051CB24
, 5F051CB29
, 5F051DA03
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051FA15
, 5F051FA25
, 5F051GA03
審査官引用 (6件)
-
太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-179328
出願人：矢崎総業株式会社
-
薄膜太陽電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-040323
出願人：富士電機株式会社
-
薄膜太陽電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-263505
出願人：矢崎総業株式会社
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
