半導体ウエハの電気銅めっき方法、同装置及びこれらによってめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小越勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259001
公開番号（公開出願番号）：特開2003-073889
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：

【要約】【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中の陽極側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、同装置及びこれらによって電気銅めっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ装置を提供することを課題とする。【解決手段】半導体ウエハに電気銅めっきを行うに際し、めっき槽を陰イオン交換膜で陰極室と陽極室に隔離し、陽極として不溶性陽極を使用して電気銅めっきを行うことを特徴とする半導体ウエハの電気銅めっき方法。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハに電気銅めっきを行うに際し、めっき槽を陰イオン交換膜で陰極室と陽極室に隔離し、陽極として不溶性陽極を使用して電気銅めっきを行うことを特徴とする半導体ウエハの電気銅めっき方法。

IPC (4件)：

C25D 7/12 , C25D 17/00 , C25D 21/18 , H01L 21/288

FI (4件)：

C25D 7/12 , C25D 17/00 H , C25D 21/18 G , H01L 21/288 E

Fターム (11件)：

4K024AA09 , 4K024BB12 , 4K024CA01 , 4K024CA04 , 4K024CA06 , 4K024CB01 , 4K024CB07 , 4K024CB26 , 4M104BB04 , 4M104DD52 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (9件)

めっき液およびめっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-142560 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-129990
銅めっき方法及び銅めっき液
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-093851 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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