特許
J-GLOBAL ID：200903003102997080
電子デバイス及び電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴木 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-100959
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286698
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】 本発明が解決しようとする課題は主として高いコンダクタンスgmを示しながらも、ノーマリーオフの動作をするトランジスタの実現を目的とする。【解決手段】GaN層3、AlN層9及びAlxGa1-xN(0<x<1)層4が順に密着して積層された積層構造と、前記AlxGa1-xN層4に接触する電極の組み合わせからなる電子デバイスにおいて、前記GaN及びAlxGa1-xNのxが、0<x<0.2であり、前記電極直下に相当する部分を含む部分の前記AlxGa1-xN層の厚さD、前記AlN層9の厚さdが0<D≦3nm、0<d≦0.5nmであることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
GaN層、AlN層及びAlxGa1-xN(0<x<1)層が順に密着して積層された積層構造と、前記AlxGa1-xN層に接触する電極の組み合わせからなる電子デバイスにおいて、前記GaN及びAlxGa1-xNの組成xが、0<x<0.2であり、前記電極直下に相当する部分を含む部分の前記AlxGa1-xN層の厚さD、前記AlN層の厚さdが0<D≦3nm、0<d≦0.5nmであることを特徴とする電子デバイス。
IPC (3件)：
H01L 29/812
, H01L 29/778
, H01L 21/338
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM08
, 5F102GN04
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GS01
, 5F102GT01
, 5F102HC01
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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