特許
J-GLOBAL ID：200903003124365079
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-176313
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351846
出願日： 2005年06月16日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】半導体装置のリードの端面にリードの素材が露出することなく、半導体装置の実装に際してのリードとろう材の濡れ性を改善し、実装の信頼性を改善する。【解決手段】半導体装置のパッケージ1から突出し、表面がメッキ等のろう材膜3で被覆され、かつその一部において切断されるリード2を有する半導体装置の製造方法において、ろう材3による被覆を施す以前に、リード2の切断部に沿う位置にレーザ照射等によりV字溝5を形成する。切断形成されたリード2の端面はろう材3で殆ど大部分を被覆され、リード2の素材が露出されないため、実装時におけるろう材6との濡れ性は改善される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子が固定されたアイランドおよび半導体素子と電気的に接続されたリードを封止する工程と、
前記封止部の外部に位置するリードの表面をメッキする工程と、
前記リードの一部を切断して半導体装置を形成する工程と、
から成る半導体装置の製造工程において、
前記リードにV字溝を形成した後に、前記リードの表面をメッキし、前記V字溝が形成された面から前記V字溝の所を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L23/50 B
, H01L23/50 D
5F067AA01
, 5F067DB02
, 5F067DC12
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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