半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-350878
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158576
出願日： 2000年11月17日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】所定の機能を有する1つまたは複数の機能回路ブロックを、容易に制御が可能であり、かつリーク電流を抑制することが可能な半導体集積回路を提供する。【解決手段】機能回路ブロック1のみを動作させる場合、制御信号入力端子11に所定の信号を入力すると、制御回路7は出力端子5からLowの信号、出力端子6からHiの信号を出力する。この信号が各ゲートに入力され、PchFET3はON、PchFET4はOFFとなり、機能回路ブロック1は動作状態に、機能回路ブロック2はスタンバイ状態になる。このとき、機能回路ブロック2のリーク電流は、機能回路ブロック2の各FETよりも高い閾値電圧のPchFET4のカットオフ特性により、小さな値となる。また、制御回路7を構成する電源端子と接地端子との間に設けたFETのうち少なくとも1つを高い閾値電圧のFETとすることにより、スタンバイ時の制御回路7自身のリーク電流も削減でき、半導体集積回路8全体として低リーク電流を実現できる。

請求項（抜粋）：

高位電源線及び低位電源線の間に接続された、1つまたは複数のFETを含む機能回路ブロック、及び該機能回路ブロックに接続され該機能回路ブロックに含まれる1つまたは複数のFETの閾値電圧よりも高い閾値電圧であるリーク抑制FETと、高位電源線及び低位電源線の間に接続された1つまたは複数のFETを含み、該FETの少なくとも1つが他のFETよりも高い閾値電圧である、該リーク抑制FETのON・OFFを制御する制御回路と、を備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H03K 19/00 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H03K 19/00 A , H01L 27/04 M

Fターム (16件)：

5F038AV06 , 5F038BB02 , 5F038BE09 , 5F038CD02 , 5F038DF08 , 5F038DF11 , 5F038DF16 , 5F038EZ20 , 5J056AA00 , 5J056BB49 , 5J056CC00 , 5J056CC03 , 5J056DD12 , 5J056DD26 , 5J056DD27 , 5J056DD43

引用特許：

審査官引用 (8件)

パワーダウン回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-154615 出願人：日本電信電話株式会社
論理回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-156025 出願人：日本電信電話株式会社
盲導犬誘導券売機
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-105593 出願人：日本信号株式会社

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