特許
J-GLOBAL ID：200903003402119262
荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松山 允之
, 池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-262458
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034781
出願日： 2006年09月27日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：
【目的】マスクの描画後の線幅寸法(CD)変動を補正する照射量を求める手法を提供することを目的とする。【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、パターンデータに基づいて、前記パターンデータを描画するための描画時間を予測する予測工程(S104)と、描画開始からの時間と予測された描画時間と基準照射量との相関関係を用いて、任意時間後での基準照射量を取得し、描画開始からの時間と予測された描画時間と近接効果補正係数との相関関係を用いて、任意時間後での近接効果補正係数を取得するパラメータテーブル作成工程(S106)と、任意時間後での基準照射量と近接効果補正係数とを用いて、任意時間後での照射量を計算する照射量計算工程(S110)と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、描画開始からの任意時間後におけるマスクの描画後の線幅寸法(CD)変動を補正する照射量を求めることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
描画領域を描画するためのパターンデータを入力する入力工程と、
前記パターンデータに基づいて、前記パターンデータを描画するための描画時間を予測する予測工程と、
描画開始時刻からの時間と予測された前記描画時間と基準照射量との相関関係を用いて、前記パターンデータを描画する場合における前記描画時間内の描画開始からの任意時間後での基準照射量を取得する基準照射量取得工程と、
描画開始時刻からの時間と予測された前記描画時間と近接効果補正係数との相関関係を用いて、前記パターンデータを描画する場合における前記描画時間内の描画開始からの任意時間後での近接効果補正係数を取得する近接効果補正係数取得工程と、
前記任意時間後での基準照射量と近接効果補正係数とを用いて、前記描画時間内の描画開始からの任意時間後での照射量を計算する照射量計算工程と、
前記照射量に合わせて、荷電粒子ビームを用いて前記描画領域の任意位置を描画する描画工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01J 37/305
H01L21/30 541D
, H01J37/305 B
5C034BB10
, 5F056CC12
, 5F056CC13
, 5F056CD03
, 5F056CD11
, 5F056FA08
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (15件)
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