特許
J-GLOBAL ID：200903003478235563
半導体発光素子の製造方法および有機金属気相成長装置、ならびにこれらを用いて形成した面発光型半導体レーザ素子、該面発光型半導体レーザ素子を用いた光通信システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯村 雅俊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-297936
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101151
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 MOCVD法による面発光半導体レーザ素子の製造技術を改良し、高品質で実用レベルのGaInNAs面発光型半導体レーザ素子の製造方法、有機金属気相成長装置、面発光半導体レーザ素子、光送信モジュール、光送受信モジュール、光通信システムを提供する。【解決手段】 III族ガスラインA11にはTMG,TMAシリンダーが、III族ガスラインA12にはTMG,TMIシリンダーが取りつけられていて、Alを含んだ半導体層はIII族ガスラインA11を用いて供給し、窒素を含んだ半導体層はIII族ガスラインA12を用いて供給して形成できるようになっている。III族ガスラインを複数用いることでAlを含んだ半導体層を成長するためにAl原料が通ったラインを通ることなく窒素を含んだ半導体層を成長するための原料を反応室に供給できる。
請求項（抜粋）：
基板と窒素を含む活性層との間にAlを含む半導体層を設けた半導体発光素子を製造方法において、上記半導体発光素子は被成長基板を用意した反応室に原料ガスを供給し結晶成長され、上記窒素を含む活性層と上記Alを含む半導体層はそれぞれ窒素化合物原料と有機金属Al原料を用いて成長され、Alを含む半導体層と窒素を含む活性層を成長するために反応室に供給されるIII族原料はそれぞれ別々のガスラインから供給されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/323 610
, H01L 21/205
, H01S 5/183
H01S 5/323 610
, H01L 21/205
, H01S 5/183
5F045AA04
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AD09
, 5F045AE23
, 5F045AE25
, 5F045BB14
, 5F045CA12
, 5F045DA55
, 5F045DP03
, 5F045EC07
, 5F045EC10
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073AB28
, 5F073BA02
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA35
