半導体レーザ素子および光ディスク装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-293105
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114661
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】可飽和吸収層のバンドギャップとキャリア寿命を制御して、自励発振を安定して動作させることの可能な半導体レーザ素子および光ディスク装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ素子は、第1導電型の半導体基板40上に、第1導電型のクラッド層103,活性層50,第2導電型のクラッド層105が順次に積層されており、第2導電型のクラッド層105上に可飽和吸収層51が形成されている。ここで、可飽和吸収層51は、活性層50のバンドギャップとほぼ等しいか、または、わずかに小さいバンドギャップを有し、かつ、高濃度に窒素がドープされている。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に、第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層が順次に積層されており、前記第1導電型クラッド層と第2導電型クラッド層の一方、または両方に可飽和吸収層が形成されている自励発振型の半導体レーザ素子であって、前記可飽和吸収層は、活性層のバンドギャップとほぼ等しいか、またはわずかに小さいバンドギャップを有し、かつ、高濃度に窒素がドープされていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/227 , G11B 7/125

FI (2件)：

H01S 3/18 665 , G11B 7/125 A

Fターム (14件)：

5D119AA12 , 5D119BA01 , 5D119FA05 , 5D119FA20 , 5D119HA40 , 5D119NA04 , 5F073AA13 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073CA14 , 5F073CB19 , 5F073EA01 , 5F073EA27

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-039404 出願人：松下電器産業株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-008191 出願人：古河電気工業株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-255421 出願人：株式会社リコー

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