特許
J-GLOBAL ID：200903003551244452

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

発明者：
高橋 秀治

高橋 秀治 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-053532
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212289
出願日： 2008年03月04日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：
【課題】エッチングレートの高速化とレジスト選択比を向上させる。【解決手段】プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法を提供することにより、前記課題を解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
プロセスガスとして複数のフッ素系ガスからなる混合ガスを用い、前記プロセスガスを供給しながら高真空でプラズマを生成し、かつ低周波のバイアス電力を印加してエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (6件)：
H01L 21/306 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (9件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/302 101C ,  H01L21/302 104C ,  H01L21/302 104Z ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101Z ,  H01L27/10 444C
Fターム (26件)：
5F004AA03 ,  5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB22 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DB00 ,  5F004DB08 ,  5F004EA05 ,  5F004EA06 ,  5F004EB08 ,  5F083FR00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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