特許
J-GLOBAL ID：200903003552730008

光又は放射線検出素子ならびに二次元画像検出器の製造方法

発明者：
和泉 良弘

和泉 良弘 について

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寺沼 修

寺沼 修 について

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佐藤 敏幸

佐藤 敏幸 について

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徳田 敏

徳田 敏 について

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吉牟田 利典

吉牟田 利典 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について

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株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-111216
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307091
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 効果的な電荷阻止効果、および信頼性の向上を実現した光又は放射線検出素子、更にこの光又は放射線検出素子を応用した二次元画像検出器の製造方法を提供する。【解決手段】 対向基板2の製造工程において、支持基板上に上部電極、第1の電荷阻止層、半導体層19がこの順に形成された後、該半導体層19の表面に砥粒吐出ノズル22によりセラミック粒子23を吹き付ける。該砥粒吐出ノズル22は、セラミック粒子23を噴射しながら一定の周期でX方向に高速で往復移動を繰り返し、Y方向に移動する対向基板2の半導体層19表面全体に対してセラミック粒子23を吹き付けて、半導体層19表面の平坦化処理を行う。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体膜を形成する工程と、上記半導体膜の表面を平坦化する工程と、上記半導体膜上に、電荷阻止層または電極層を形成する工程とを含むことを特徴とする光又は放射線検出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  G01T 1/24 ,  H01L 31/09
FI (3件)：
H01L 27/14 K ,  G01T 1/24 ,  H01L 31/00 A
Fターム (27件)：
2G088EE01 ,  2G088EE27 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA05 ,  4M118AB10 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB05 ,  4M118EA01 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  5F088AB09 ,  5F088CB05 ,  5F088CB20 ,  5F088DA15 ,  5F088EA04 ,  5F088EA08 ,  5F088EA16 ,  5F088KA03 ,  5F088KA08 ,  5F088LA07
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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