特許
J-GLOBAL ID：200903003702473459

基板研磨装置、基板研磨方法及び半導体装置

発明者：
佐藤 裕時

佐藤 裕時 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-189847
公開番号（公開出願番号）：特開2003-001560
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：
【要約】【課題】 CMP装置を小型化して占有面積を縮小し、工場等に設置する際に場所の制約を受けないようにする。【解決手段】 基板1とプラテン2に貼られた研磨布4とを密着させ、基板1とプラテン2とを共に回転させて基板1の表面を研磨する基板研磨装置であって、基板1上にプラテン2を配置し、プラテン2を基板1に対して水平方向に移動させる移動ガイドとを備える。プラテン2を基板1に対して相対移動させることにより、装置の大きさを基板1の大きさと同程度の大きさとすることができる。
請求項（抜粋）：
基板と研磨パッドとを密着させ、前記基板と前記研磨パッドとを共に回転させて前記基板の表面を研磨する基板研磨装置であって、前記基板上に配置される前記研磨パッドと、前記研磨パッドを前記基板に対して水平方向に移動させる移動手段とを備えたことを特徴とする基板研磨装置。
IPC (5件)：
B24B 37/04 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304
FI (8件)：
B24B 37/04 G ,  B24B 37/04 E ,  B24B 37/04 K ,  B24B 37/00 B ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 G ,  H01L 21/304 622 K ,  H01L 21/304 622 S
Fターム (13件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA09 ,  3C058BB04 ,  3C058BC01 ,  3C058BC02 ,  3C058CA01 ,  3C058CB05 ,  3C058CB09 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (10件)
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