特許
J-GLOBAL ID：200903003708959272
マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-388179
公開番号（公開出願番号）：特開2002-189178
出願日： 2000年12月21日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【課題】 不所望な散乱光や漏れ光を抑制して光学的機能および信頼性を向上させること。【解決手段】 このDMDにおいては、シリコン基板10の主面に1セル分のアドレス回路としてSRAM12がモノシリックに形成されるとともに、このSRAM12の上に酸化膜14を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる1セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子16がモノシリックに形成されている。各反射型光変調素子16は、第1金属層としてバイアス・バス18およびヨークアドレス電極20,22を有し、第2金属層としてねじれヒンジ24、ヒンジ支持部26,28、ヨーク30およびミラーアドレス電極32,34を有し、第3金属層としてミラー36を有している。第1金属層の一部または全部および下地膜(絶縁膜)14を覆うように光吸収性かつ非導電性のフィルム40が設けられている。さらには、第3金属層表面に形成される穴を埋めるように上記フィルム40が設けられている。
請求項（抜粋）：
基板上に電気回路とこの電気回路によって駆動制御される可動部とを設けたマイクロ・エレクトロ・メカニカル・システムにおいて、前記基板上に設けられている部材の一部または全部を覆う光吸収性の膜を有するマイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム。
IPC (4件)：
G02B 26/08
, B81C 1/00
, B81C 3/00
, H04N 5/74
G02B 26/08 E
, B81C 1/00
, B81C 3/00
, H04N 5/74 B
2H041AA11
, 2H041AB14
, 2H041AC06
, 2H041AZ08
, 5C058AA18
, 5C058AB00
, 5C058BA08
