特許
J-GLOBAL ID:200903003726330217

FPD用保護膜およびその製造方法ならびにこれを用いたFPD

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和 ,  江口 昭彦 ,  杉浦 秀幸 ,  村山 靖彦 ,  柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-078290
公開番号(公開出願番号):特開2004-288454
出願日: 2003年03月20日
公開日(公表日): 2004年10月14日
要約:
【課題】保護膜の基板(誘電体層)との密着性および整合性の低下を防止し、かつ保護膜の電気絶縁性の低下を防止する。また膜本体または膜体中のMgO等が大気中のCO2 ガスや H2Oガスと反応することを阻止し、MgO等のFPDに有害なMgCO3 やMg(OH)2 等への変質を防止し、さらに、エージング処理にて容易に、電圧降下させる。【解決手段】基板13の表面に膜本体14aと、膜本体14aの表面に形成された硫酸化物層および/または硫化物層14bとを備えた。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板の表面にMgO,CaO,SrO,BaO,アルカリ土類複合酸化物もしくは希土類酸化物,またはアルカリ土類酸化物および希土類酸化物の複合酸化物のいずれかにより形成された膜本体と、前記膜本体の表面に形成された硫酸化物層および/または硫化物層とを備えたことを特徴とするFPD用保護膜。
IPC (2件):
H01J11/02 ,  H01J9/02
FI (2件):
H01J11/02 B ,  H01J9/02 F
Fターム (10件):
5C027AA06 ,  5C027AA07 ,  5C040GE02 ,  5C040GE08 ,  5C040GE09 ,  5C040JA02 ,  5C040JA07 ,  5C040KB19 ,  5C040MA10 ,  5C040MA23
引用特許:
審査官引用 (12件)
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