特許
J-GLOBAL ID：200903003789477935
圧電薄膜素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131161
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329899
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 圧電薄膜素子を精度良く、短時間に製造すること。【解決手段】 本発明は、シリコン基材1に形成される梁構造部3と、梁構造部3に形成される圧電薄膜12と、圧電薄膜12に電圧を印加する電極とを備える圧電薄膜素子において、シリコン基材1の中間に絶縁層2が配置されているものである。また、本発明は、シリコン基材1に梁構造部3を形成し、この梁構造部3に圧電薄膜12およびその圧電薄膜12に電圧を印加する電極を形成する圧電薄膜素子の製造方法において、シリコン基材1として、中間にエッチングストップ層である絶縁層2を備えたものを使用し、このエッチングストップ層までエッチングすることにより梁構造部3を形成するものである。
請求項（抜粋）：
シリコン基材に形成される梁構造部と、前記梁構造部に形成される圧電薄膜と、前記圧電薄膜に電圧を印加する電極とを備える圧電薄膜素子において、前記シリコン基材の中間に絶縁層が配置されていることを特徴とする圧電薄膜素子。
IPC (3件)：
H01L 41/08
, G01L 1/16
, H01L 41/22
G01L 1/16 B
, H01L 41/08 D
, H01L 41/22 Z
