特許
J-GLOBAL ID：200903079341188637

p型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法

発明者：
鈴木 健

鈴木 健 について

, 
大井 明彦

大井 明彦 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313842
公開番号（公開出願番号）：特開2000-143396
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月23日
要約：
【要約】【課題】1×1017cm-3以上の高キャリア濃度を有し、発光素子に適したp型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成され、Mgが添加されたp型窒化ガリウム薄膜において、前記Mgと同時にAlを添加する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、Mgが添加されたp型窒化ガリウム薄膜において、前記Mgと同時にAlが添加されていることを特徴とするp型窒化ガリウム薄膜。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ,  C30B 23/08 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
C30B 29/38 D ,  C30B 23/08 M ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 21/205
Fターム (33件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  5F041AA24 ,  5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045EB15 ,  5F073CA02 ,  5F073CB19 ,  5F073DA11 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (8件)
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